H INTEL αναπτύσσει διαδικασία παραγωγής χαμηλής κατανάλωσης ισχύος

Η Intel Corporation αναπτύσσει μια παραλλαγή χαμηλής ισχύος της διαδικασίας παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων 65 nanometer (nm). Η υψηλών αποδόσεων, διαδικασία αυτή θα επιτρέψει την παραγωγή chip πολύ χαμηλής κατανάλωσης ισχύος για φορητές πλατφόρμες και πολύ μικρού μεγέθους φορητές συσκευές. Η παραγωγική διαδικασία χαμηλής ισχύος θα αποτελέσει τη δεύτερη παραγωγική διαδικασία της Intel που βασίζεται στην τεχνολογία επεξεργασίας 65nm.

Η υψηλής απόδοσης παραγωγική διαδικασία 65nm της Intel (ένα nanometer είναι το ένα δισεκατομμυριοστό του μέτρου) παρέχει οφέλη, τόσο στην κατανάλωση ενέργειας, όσο και στην απόδοση σε σύγκριση με την υφιστάμενη κορυφαία διαδικασία παραγωγής των 90nm. Η νέα τεχνολογία χαμηλής κατανάλωσης ισχύος 65nm της Intel παρέχει στους σχεδιαστές των chip της Intel πρόσθετες επιλογές για την επίτευξη της κυκλωμάτων εξαιρετικά υψηλής πυκνότητας, απόδοσης και κατανάλωσης που απαιτούνται από τους χρήστες συσκευών με υψηλή αυτονομία με μπαταρία.

«Οι άνθρωποι συνήθως υποδέχονται με ενθουσιασμό τις φορητές πλατφόρμες που μεγιστοποιούν τη ζωή της μπαταρίας,» σχολίασε ο κ. Mooly Eden, Vice President & General Manager του Mobile Platforms Group της Intel. «Τέτοιου είδους προϊόντα θα ενισχυθούν σημαντικά από τη νέα παραγωγική διαδικασία χαμηλής κατανάλωσης ισχύος. Θα σχεδιάσουμε τις μελλοντικές φορητές πλατφόρμες έτσι ώστε να αξιοποιούν πλήρως και τις δύο κορυφαίες παραγωγικές διαδικασίες των 65nm.»

Ένας από τους παράγοντες για τη μείωση της κατανάλωσης ισχύος των chip, ο οποίος είναι σημαντικός στις φορητές συσκευές και στις συσκευές που λειτουργούν με μπαταρία, είναι η βελτίωση του σχεδιασμού του τρανζίστορ. Το ρεύμα που διαρρέει από αυτά τα μικροσκοπικά τρανζίστορ, ακόμα και όταν είναι σε κατάσταση μη-λειτουργίας, αποτελεί πρόβλημα που αποτελεί πρόκληση για όλο τον κλάδο.

«Με τον αριθμό των τρανζίστορ σε ορισμένα chip να ξεπερνά το ένα δισεκατομμύριο, είναι ξεκάθαρο ότι οι βελτιώσεις που θα γίνουν για μεμονωμένα τρανζίστορ θα πολλαπλασιαστούν αποδίδοντας τεράστια οφέλη σε ολόκληρη τη συσκευή,» επεσήμανε ο κ. Mark Bohr, Senior Fellow & Director του τμήματος Process Architecture & Integration της Intel. «Τα δοκιμαστικά chip που κατασκευάστηκαν με την τεχνολογία επεξεργασίας χαμηλής ισχύος 65nm της Intel, έδειξαν μείωση της διαρροής ρεύματος των τρανζίστορ κατά περίπου 1000 φορές σε σύγκριση με τη συνηθισμένη επεξεργασία. Αυτό μεταφράζεται σε σημαντική εξοικονόμηση στην κατανάλωση ενέργειας για τους ανθρώπους που θα χρησιμοποιούν συσκευές βασισμένες σε αυτή την τεχνολογία.»

Τεχνολογία Επεξεργασίας Χαμηλής Κατανάλωσης Ενέργειας 65nm της Intel

Η τεχνολογία επεξεργασίας χαμηλής κατανάλωσης ισχύος 65nm της Intel περιλαμβάνει αρκετές καίριες τροποποιήσεις των τρανζίστορ, οι οποίες προσδίδουν οφέλη χαμηλής κατανάλωσης ισχύος ενώ παρέχουν κορυφαίες επιδόσεις. Αυτές οι τροποποιήσεις στα τρανζίστορ έχουν σαν αποτέλεσμα σημαντικές μειώσεις σε τρεις βασικές πηγές διαρροής των τρανζίστορ: υπο-οριακή διαρροή, διαρροή συνδέσεων και διαρροή οξειδίου πύλης. Τα οφέλη της μειωμένης διαρροής των τρανζίστορ είναι η χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας και η αυξημένη ζωή της μπαταρίας.

- Η τεχνολογία επεξεργασίας 65nm της Intel συνδυάζει τρανζίστορ υψηλότερης απόδοσης και χαμηλότερης κατανάλωσης, μια δεύτερης γενιάς έκδοση του πεπιεσμένου πυριτίου της Intel, οκτώ στρώματα διασύνδεσης χαλκού υψηλής ταχύτητας, και ένα διηλεκτρικό υλικό “low-k”. Η κατασκευή chip με την τεχνολογία 65nm θα επιτρέψει στην Intel να διπλασιάσει τον αριθμό των τρανζίστορ που μπορεί να ενσωματώσει πάνω σε ένα chip σήμερα (χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 90nm της Intel).

Η τεχνολογία 65nm της Intel θα διαθέτει τρανζίστορ που θα έχουν πύλες μεγέθους μόνο 35nm και τα οποία θα είναι τα μικρότερα και με τη μεγαλύτερη απόδοση CMOS τρανζίστορ σε παραγωγή μεγάλου όγκου. Συγκριτικά, τα πιο προηγμένα τρανζίστορ σε παραγωγή σήμερα, που υπάρχουν στους επεξεργαστές Intel® Pentium® 4, έχουν μέγεθος 50nm. Τα μικρά, γρήγορα τρανζίστορ αποτελούν τους ‘δομικούς λίθους’ για πολύ γρήγορους επεξεργαστές.

Η Intel ενσωμάτωσε μια έκδοση δεύτερης γενιάς του υψηλής απόδοσης πεπιεσμένου πυριτίου στην τεχνολογία 65nm. Το πεπιεσμένο πυρίτιο παρέχει υψηλότερο ρεύμα οδήγησης, αυξάνοντας την ταχύτητα των τρανζίστορ με μόνο δύο τοις εκατό αύξηση στα κόστη παραγωγής.

Για επιπλέον πληροφορίες σχετικά με την τεχνολογία Intel, επισκεφθείτε την ηλεκτρονική διεύθυνση www.intel.com/technology .